Интегральные схемы и комплектующие к ним

AD7705BNZ

Многоканальный преобразователь

• Многоканальный 16–разрядный сигма–дельта аналого–цифровой преобразователь.
• Частота дискретизации 500 выб./сек.

AD5300BRMZ

Преобразователь

• 8–битный цифро–аналоговый преобразователь.
• С выходным сигналом.
• Напряжение питания – 230 мкА.

ADUC812BSZ

• Самокалибрующийся многоканальный АЦП, двойной ЦАП и программируемый 8–разрядный микроконтроллер на одном чипе.

ADM202EARNZ

Высокоскоростной приемопередатчик RS–232

• Скорость передачи 230 kbps.
• Гистерезис приемника 650 мВ.

AD7306JNZ

RS–232 и RS–422 на одном чипе

• Обладает защитой от короткого замыкания.
• Помехоустойчивость.
• Низкое энергопотребление.

ADG3304BRUZ

Двунаправленный преобразователь логических уровней

• Имеет 4–канала.
• С напряжением 1,15 – 5,5 В.

ADG3308BRUZ

Двунаправленный преобразователь логического уровня

• С максимальным раб. напряжением питания 5,5 В.

AD8321ARZ

Линейный драйвер

• С программируемой регулировкой усиления.
• Имеет низкий уровень выходного шума.

ADS1110A0IDBVT

Преобразователь

• Непрерывно самокалибрующийся 16–битный сигма–дельта аналого–цифровой преобразователь.
• С дифференциальными входами.

TLC549IP

Преобразователь

• 8–битный аналого–цифровой преобразователь последовательного приближения.
• Тактовая частота – 4 МГц.

TLC7528CN

Преобразователь

• Двойной умножающий цифро–аналоговый преобразователь.
• 8–битный с отдельными защёлками данных на кристалле.

SN74LVC1T45DBVR

Приёмопередатчик

• 1–битный шинный приёмопередатчик.
• С двуполярным питанием.
• С тремя состояниями на выходе.
• Напряжение 1,65 – 5,5 В.

MSP430F2132IPW

16–битный микроконтроллер

• Имеет внутренние частоты до 16 МГц.
• С четырьмя калиброванными частотами до ± 1%.

SN65LBC173D

Микросхема интерфейса RS–422 / RS–485

• Гистерезис приёмника – 40 мВ.
• Имеет 4 приёмника и не имеет драйверов.

HCF4001BM1

Четыре логических элемента 2ИЛИ–НЕ

• Стандартизированный симметричный выходной сигнал.
• Заданный ток покоя до 20 В.

M24C02–WMN6P

Микросхема памяти

• С объёмом памяти 2 кбит.
• С напряжением питания от 2,5 В до 5,5 В.
• Макс. тактовая частота 400 кгц.

STM32MP151AAD3

32–битный микропроцессор

• Со скоростью ЦПУ 650 МГц.
• Напряжение от 1,18 В до 1,25 В.
• Объём памяти 128 КБ.

MAX506BCWP+

Токовый цифро–аналоговой преобразователь

• С 4 каналами.
• С параллельным интерфейсом обмена данными.

MAX13035EETE+

Двунаправленный преобразователь логического уровня

• Имеет 6 линий и 6 каналов.
• Напр. питания 2,2 В – 3,6 В.

DS1225AD–150+

RAM память с Parallel интерфейсом

• Объём памяти 64 кбит.
• Напр. питания 4,5 – 5,5 В.
• Раб. температура: 0 – 70 °C.

DS1075M–100

Генератор фиксированной частоты

• Диапазон от 30 кГц до 100 МГц.
• Встроенный программируемый прескалер и делитель.

DS1803Z–100+

Интегральная микросхема

• Интегральная микросхема двухканального цифрового потенциометра.
• С линейной характеристикой регулирования, на 256 шагов.

FQP85N06

МОП–транзистор с N–каналом

• Имеет низкое сопротивление в состоянии 800 МОм при напряжении питания 10 В.

J177

Полевой транзистор

• Полевой транзистор с управляющим PN–переходом.
• Имеет P–канал с макс. сопротивлением 300 Ом.

BC33740TA

Малосигнальные NPN–транзисторы

• Малосигнальные NPN–транзисторы, с максимальным напряжением 40 – 50 В.
• Макс. допустимый ток 0,8 А.

2N6517BU

Биполярный транзистор

• Биполярный транзистор со структурой NPN и макс. напряжением 350 В.
• Макс. допустимый ток – 0,5 А.

FGL60N100BNTD

Биполярный N–канальный транзистор

• С изолированным затвором.
• Имеет встроенный диод, макс. ток КЭ при 25 °C – 60 А.

MMBF4393LT1G

Полевой транзистор с N–каналом

• Управляющий PN–переход.
• Имеет 3 вывода.
• Макс. раб. температура 150 °C.

RFP50N06

N–канальный силовой МОП–транзистор

• Для коммутационных устройств. 60 В.
• Может работать от интегральных схем.

IGW40T120FKSA1

Биполярный транзистор

• Изолиров. затвор.
• Плотное распределение параметров.
• Высокая прочность.
• Температурная стабильность.

BC847CE6327HTSA1

Малосигнальный биполярный NPN–транзистор

• Высокий коэффициент усиления по току.
• Низкий уровень шума – от 30 Гц до 15 кГц.

BF421

Биполярный высоковольтный PNP–транзистор

• Максимальное допустимое напряжение – 300 В.

КТ3102АМ

Кремниевый биполярный эпитаксиально–планарный NPN–транзистор

• В пластмассовом корпусе.
• Макс. напр. 50 В.

04023J0R3ABSTR

Керамический выводной многослойный конденсатор

• Для поверхностного монтажа.
• Напряжение – 25 В пост. тока.

TAP105K050SCS

Твердый танталовый конденсатор

• Ном. напряжение 50 В.
• Эффективное последовательное сопротивление 8 Ом.

FFB16J0395K

Плёночный конденсатор

• Номин. напр. пост. тока 525 В.
• Имеет высокую диэлектрической прочность в условиях эксплуатации до 105 °C.

TCJA106M016R0200

Проводящий полимерный твердо–электролитический конденсатор

• Напряжение 16 А пост. тока.
• Раб. диапазоном температур от –55 °C до +125° C.

06033C104JAT2A

Диэлектрический керамический конденсатор

• «Термостабилен» и подойдет для широкого спектра промышленных применений.

ESK107M016AC3AA

Оксидно–электролитический алюминиевый конденсатор

• С радиальными выводами.
• Ном. напр. пост. тока 16 А.

PHE840EY7100MD16R06L2

Плёночный конденсатор

• Ёмкость 1BμF.
• Ном. напряжение составляет 300 В AC и 760 В DC.

R76UR31004030J

Плёночный конденсатор

• С диапазоном напряжения 250 – 2,000 В пост. тока.
• Ном. напряжение составляет 300 В AC и 760 В DC.

C315C150J1G5TA7303

Многослойный керамический конденсатор

• Ёмкость 15 pF.
• Ном. напряжение 100 В.
• Покрытие с содержанием свинца.

DEBE33F472ZA3B

Дисковый высоковольтный конденсатор

• Имеет малые размеры при большой ёмкости.
• Раб. напряжение – 3150 В.

DE11XRA100KA4BQ01F

Однослойный керамический конденсатор

• Ширина 8 мм.
• Для монтажа на плату в отверстия.
• Ёмкость – 10 pF.

GRM21A5C2E100JW01D

Безвыводный неполярный конденсатор

• Имеет малый уровень собственных шумов благодаря низкому импедансу на высоких частотах.

B32021A3152M289

Плёночный конденсатор

• Для монтажа на плату в отверстия.
• С напряжением 300 В перем. тока.
• Ном. ёмкость 1,5 nF.

C2012X5R1A476M125AC

Многослойный конденсатор

• Для поверхностного монтажа.
• Подходит для источников питания высокой частоты и высокой плотности.

3683S–1–102L

Прецизионный переменный резистор

• Ном. сопр. 1 кОм.
• Диапазон раб. температуры –25 ... +85 °С.
• Мощность – 2 В.

3006P–1–503LF

Подстроечный резистор

• С регулируемым прямоугольным концом.
• Ном. мощность при 70 °C – 750 мВт.
• Макс. сопр. 50 кОм.

3214W–1–201E

Подстроечные герметичный резистор

• Для поверхностного монтажа.
• С макс. сопр. 200 Ом.
• Ном. мощность 250 мВт.

W3M22R0J

Маломощный резистор

• В сквозное отверстие.
• Имеет осевые выводы.
• Мощность 3 Вт.
• Сопротивление 22 Ом.

ERJ–2RKF1000X

Металлоплёночный чип–резистор

• Отличается высокой надёжностью.
• Сопротивление 100 Ом.
• Точность ±1%.

ERD–S1TJ114V

Резистор

• Мощность 0,5 Вт.
• Сопротивление 110 Ом.
• Имеет неограниченный уровень чувствительности к влаге.

ERA3AEB101V

Тонкоплёночный резистор

• Для поверхностного монтажа.
• С ном. напряжением 75 В.
• Сопротивление 100 Ом.

RC2012F115CS

Чип–резистор

• Для поверхностного монтажа.
• С сопротивлением 1,1 МОм.
• Точность ±1%.
• Раб. напряжение 200 В.

RC6432J512

Чип–резистор

• Для поверхностного монтажа.
• С сопротивлением 5,1 кОм.
• Точность ±5%.
• Температурный диапазон от –55 °С до 125 °С.

CMF55220R00FHEK

Небольшой металлический плёночный резистор

• С огнезащитным эпоксидным покрытием.
• Низкий уровень шума – 0,10 мкВ/В.

MBB02070C1000FCT00

Металлодиэлектрический резистор

• Раб. напряжение 350 В.
• Мощность 0,6 Вт.
• Сопр. 100 Ом.
• Имеет аксиальные выводы.

WSR3R0500FEA

Чип–резистор

• Для поверхностного монтажа.
• С ном. мощностью 3 Ом.
• Сопр. 50 мОм.
• Температурные диапазон от –65 °С до 275 °С.

CRCW020140R2FNED

Толстоплёночный чип–резистор

• Ном. мощ. 0,05 Вт.
• Напр. 30 В.
• Металлическая глазурь выполнена на высококачественной керамике.